USBﾒﾓﾘｰは、出張先で使っていた移動用車両の中に落ちていたのですが、発見されたのが金曜日の朝だったので、どうにもなりませんでした。
えっ？金曜日の夜は？？
疲れてて、すぐに寝ちゃってました。。
すんません<(_ _)>
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ということで、Bﾀﾞｲが不調となった8月中盤から何度かPSCを冷やしています。
板は、AsrockかｷﾞｶﾞのOC板を使いました。
PSCについては、途中で一度選別し直しました。
というのも、Haswellになって、Ivyで廻らなかったものが廻るようになったからです。
不思議ですが、本当です
当然、あんまり耐性が良くないものは相変わらず廻りませんが、どうも緩めてでもｸﾛｯｸが上がる個体の方が、結局のところ『詰められて速い』ようです（冷やした場合）。
まずは夏休み中の8月11日にASRockのM-OCFでﾒﾓﾘｰのみ冷やしてみました。
MemはG.SkillのRipjowsXの黒いやつで、DDR3-2200/7-10-10 な仕様のものです。
空冷では、1.75Vで2400の8-11-7-27,1Tで長距離OKを確認しています。
これ、Sandyの頃は発熱がひどくてあまり廻らず、Ivyでは緩めてそこそこでした。
Haswellでは空冷であまり詰めてませんが、Ivyよりは廻りそうです。
で、いつもと同じくder8auerの絵板枡で殻付きのまま冷やしました。
この枡、容量がでかいので突沸まで時間が掛かりますが、重いので圧着は比較的良さそうで気に入ってます。
さてさて、液体を注ぎ続けてしばらくすると突沸したので満水ｷｰﾌﾟとし、詰めていきます。
取りあえずの比較は、4GHzな長距離の素焼きでLoop6くらいまでのﾀｲﾑを見てます。
Loop6なのは、この時点でのﾀｲﾑ差を4倍すると、大体完走時のﾀｲﾑ差となるからです。Loop3までで、8倍してもいいのですが、さすがにこれだと安定してるかどうかの感触が得られないのでL6までとしてます。
ｸﾛｯｸ/ 電圧/ ﾀｲﾐﾝｸﾞ ： Loop6のﾀｲﾑ@石4GHz/NB4000
2400/ 1.75V/ 8-11-7-27-78 ： 1m51.406 ← ｔRTL=38/39
2463/ 1.85V/ 8-11-7-27-78 ： 1m51.172
2526/ 1.85V/ 8-11-7-27-78 ： 1m51.000
2526/ 1.95V/ 7-11-7-27-78 ： 1m50.875 ← ｔRTL=37/38に変化
2526/ 1.95V/ 7-11-7-24-78 ： 1m50.828
2526/ 1.95V/ 7-11-7-24-72 ： 1m50.813
2596/ 2.00V/ 7-11-7-24-72 ： 1m50.656 ← ｔRTL=38/39
2596/ 2.00V/ 7-11-7-24-70 ： 1m50.610
2666/ 2.05V/ 7-11-7-24-72 ： 1m50.437
2666/ 2.05V/ 7-11-7-24-70 ： 1m50.422
とりあえず、ｸﾛｯｸはここまでとしました。これ以上廻る気がしなかったので（笑
で、ﾀｲﾑですが、遅いです。。。
2596MHzでｻﾑｽﾝ2800MHzと同等です。ということは、2666で廻してやっと7m20sを切るくらいなのか。。。
まあでも、せっかくだしと40GP_32Mをやってみたのですが、まあ完走できません（笑
Loop21が最長記録でした。。。orz
この時のﾀｲﾑが、6m15s828なので、やはりｻﾑｽﾝの6m16s609比-0.8秒、つまり完走しても7m20sをちょい切るくらいですね。。。遅いなぁ～
なんか上手く廻せてない気がしますが、よくわかりません～
まあ、一発目はこんなものでしょう～（笑
さてさて、関係ない話みたいですが、ちょっと聞いてください。
僕は焚き火が好きです
それも、かなり好きなのですが、ﾒﾓﾘｰ冷やしをしてたら、
なんだか焚き火してる気分
になってしまいました（笑
今回は、石は冷やしてないですし、記録を残そうという気もなかったので、のんびり気分だったせいかも？ですが、満水の枡に時々、液体を注ぐ行為をずっと続けてると、
焚き火に薪を放り込んでる
ような気になってきてしまったのです。ﾏｼﾞです。
なので、全然うまく行かなかったのですが、とってもいい気分になれましたヽ(´ー｀)ノ
真夏の焚き火代わりにMem冷やし
またやろう～
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